东芝致力于通过精细集成技术优化单元结构来降低MOSFET的功率损耗。
特性
由于采用了小尺寸工艺,实现了低导通电阻
通过改善导通电阻和充电特性之间的权衡,从而实现低功耗
具有多种VDSS的MOSFET和适合各种应用的广泛封装选项
高雪崩强度和抗ESD
优化了器件结构,简化了应用设计,降低了开关噪声
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