氮化镓功率管,650V 35m欧,TO-247封装,适用于10KW以内电源。
氮化镓是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。
氮化镓相比传统硅基半导体,有着更加出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。能够带来低损耗和高开关频率:低损耗可降低导阻带来的发热,高开关频率可减小变压器和电容的体积,有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升频率,降低驱动损耗。
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