HUSTEC华科智源
HUSTEC-1600A-MT
分立器件测试系统
一:分立器件测试系统主要特点
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;
分立器件测试系统测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。
二:华科智源分立器件测试系统应用范围
A:IGBT单管及模块,
B:大功率场效应管(Mosfet)
C:大功率二极管
D:标准低阻值电阻
E:轨道交通,风力发电,新能源汽车,变频器,焊机等行业筛选以及在线故障检测
三、华科智源分立器件测试系统特征:
A:测量多种IGBT、MOS管
B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;
C:脉冲宽度 50uS~300uS
D:Vce测量精度2mV
E:Vce测量范围>10V
F:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
I:MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;
序号
|
测试项目
|
描述
|
测量范围
|
分辨率
|
精度
|
1
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VF
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二极管正向导通压降
|
0~20V
|
1mV
|
±1%,±1mV
|
2
|
IF
|
二极管正向导通电流
|
0~1200A
|
≤200A时,0.1A
|
≤200A时,±1%±0.1A
|
3
|
>200A时,1A
|
>200A时,±1%
|
4
|
Vces
|
集电极-发射极电压
|
0~5000V
|
1V
|
±1%,±1V
|
5
|
Ic
|
通态集电极电流
|
0~1200A
|
≤200A时,0.1A
|
≤200A时,±1%±0.1A
|
6
|
>200A时,1A
|
>200A时,±1%
|
7
|
Ices
|
集电极-发射极漏电流
|
0~50mA
|
1nA
|
±1%,±10μA
|
8
|
Vgeth
|
栅极-发射极阈值电压
|
0~20V
|
1mV
|
±1%,±1mV
|
9
|
Vcesat
|
集电极-发射极饱和电压
|
0~20V
|
1mV
|
±1%,±1mV
|
10
|
Igesf
|
正向栅极漏电流
|
0~10uA
|
1nA
|
±2%,±1nA
|
11
|
Igesr
|
反向栅极漏电流
|
12
|
Vges
|
栅极发射极电压
|
0~40V
|
1mV
|
±1%,±1mV
|
测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
IGBT静态参数测试仪整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用
1) 物理规格
设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm;
质量:30kg
2) 环境要求
海拔高度:海拔不超过 1000m;
储存环境:-20℃~50℃;
工作环境:15℃~40℃。
相对湿度:20%RH ~ 85%RH ;
大气压力:86Kpa~ 106Kpa。
防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
3) 水电气 用电要求:AC220V,±10%;
电网频率:50Hz±1Hz
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