SPA-6100半导体电学参数测试设备iv+cv曲线分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。

基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

产品特点

30μV-1200V，1pA-100A 宽量程测试能力

测量精度高，全量程下可达0.03%

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便 

自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

供灵活的夹具定制方案，兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集

应用场景及测试参数

纳米材料：电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压

柔性材料：拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度

IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲线

分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等

光电探测器：暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R

钙钛矿电池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线

传感器/忆阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试

特色优势

模块化配置：可灵活配置多种测量单元，预留升级空间，方便后期升级

图形化界面：内置常用器件模板，可直接调用，并且支持输出三种模式测试报告

自动化测试：内嵌低漏电矩阵开关，可自动切换测试电路，实现一键测试功能

夹具可定制：支持二极管、三极管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件

多设备联动：可与探针台、温控模块等搭配使用，温控范围：室温~250℃