武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家高新技术产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士学历为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。目前生产的半导体仪器已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势，特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面。

SPA6100型半导体参数分析仪，1200V/100A，一键执行测试，超高性价比！模块化集成设计，配置多种不同规格的SMU，可同时进行直流I-V、超快脉冲式I-V、C-V测试，帮助你实现测试效率与开支的平衡！

PMST系列功率器件静态测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、   输出电容、反向传输电容等。   并配置多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

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