产品特点

50μs-500μs的脉冲宽度连续可调

15μs超快上升沿（典型时间）

两路同步测量电压0.3mV-20V

0.2%测试精度

单台5A-1000A程控输出，可多台并联蕞高达6000A

支持过流保护、异常开路保护

可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥

可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试

技术参数

电流脉宽  50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15μs
输出脉冲电流 5 ～200A，准确度±0.5%±0.5A

         200A～1000A，准确度0.2%±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量   2独立通道
DUT电压测量   远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量   0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT电压测量   3V量程，精度0.1%±3mV

DUT电压测量   6V量程，精度0.1%±6mV

DUT电压测量   20V量程，精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间0.2秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<3000W
尺寸：长516x宽250x高160mm

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、2000A以上量程及测试性能均处于绝对优势地位。更多有关导通电阻测试大电流脉冲电源详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六