可变电阻式随机存取存储器
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ReRAM 概况
ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器
ReRAM是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。
此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。
ReRAM 适用设备
富士通电子元器件(上海)有限公司
电 话：
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手 机：
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