FRAM（铁电存储器）具有像Eseline; top: -0.5em;">2PROM一样的非易失性的优势 ，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM具有两个产品系列，串行接口（Iseline; top: -0.5em;">2C，SPI）和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用Eseline; top: -0.5em;">2PROM或串行闪存来代替，而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。

富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序；在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始，FRAM产品已经连续供应12年以上，并且正在为许多客户提供所需的高可靠性。

FRAM的4Kb至4Mb产品现已投入量产。富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的FRAM产品阵列，如果您想获得样品 ，请填写“FRAM样品/文档申请咨询表”申请样品和/或文件。

什么是FRAM?

• 铁电（PZT）晶体结构和FRAM原理
• 具有非易失性、高速写入、高耐久性和低功耗的特性

独立存储器 (I2C/SPI/并行接口产品)

• FRAM和竞争存储器产品的比较（SRAM，E2PROM，闪存）
• FRAM产品阵列

适用于RFID的LSI

• 适用于RFID标记的高速写入性能和大容量存储器的主要特性
• FRAM RFID标记的应用，FerVID系列产品发展线路图

认证IC

• FRAM嵌入式认证IC可实现授权和未授权部件的鉴别
• 安全IC，用于检测复印机的外设和附件，如适用于电子设备的墨盒或卡

订制LSI

• 采用单芯片解决方案，具有逻辑和模拟电路的FRAM嵌入式订制LSI

技术支持

• FRAM质量和可靠性，FRAM工厂
• 技术文件，如数据手册、情况说明书、小手册、FRAM的FIND文章