意法半导体STD10P6F6晶体管
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产品描述
STD10P6F6晶体管是P沟道功率MOSFET，采用STripFET™ F6技术开发，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率STD10P6F6晶体管在所有封装中都表现出非常低的RDS(on)封装。
产品特征
- 非常低的导通电阻
- 非常低的栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
应用领域
- 直流电动机速度控制
- 照明系统
- PWM应用
- 交流电源检测
- 磁簧继电器驱动
- 开关模式电源反馈
- 电话铃声检测
- 逻辑接地隔离
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