EN639D0是用于功率MOSFET和IGBT的低压，高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOS或IGBT 

工作电压100V

AEC-Q100

驱动三相N沟道MOS和IGBT

高边悬浮自举电源设计，耐压120V

集成自举二极管

集成拉罐平衡电路，与功率管栅极无需电阻二极管

输出等效电流能力2.5A

逻辑输入电平兼容3.3V/5V