FRAM(铁电存储器)具有像Eseline; top: -0.5em;">2PROM一样的非易失性的优势 ,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。FRAM具有两个产品系列,串行接口(Iseline; top: -0.5em;">2C,SPI)和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用Eseline; top: -0.5em;">2PROM或串行闪存来代替,而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。
富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序;在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始,FRAM产品已经连续供应12年以上,并且正在为许多客户提供所需的高可靠性。
FRAM的4Kb至4Mb产品现已投入量产。富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的FRAM产品阵列,如果您想获得样品 ,请填写“FRAM样品/文档申请咨询表”申请样品和/或文件。
- 铁电(PZT)晶体结构和FRAM原理
- 具有非易失性、高速写入、高耐久性和低功耗的特性
- FRAM和竞争存储器产品的比较(SRAM,E2PROM,闪存)
- FRAM产品阵列
- 适用于RFID标记的高速写入性能和大容量存储器的主要特性
- FRAM RFID标记的应用,FerVID系列产品发展线路图
- FRAM嵌入式认证IC可实现授权和未授权部件的鉴别
- 安全IC,用于检测复印机的外设和附件,如适用于电子设备的墨盒或卡
- 采用单芯片解决方案,具有逻辑和模拟电路的FRAM嵌入式订制LSI
- FRAM质量和可靠性,FRAM工厂
- 技术文件,如数据手册、情况说明书、小手册、FRAM的FIND文章
哔哥哔特电子元器件产品库会员富士通电子元器件(上海)有限公司为您提供FRAM(铁电存储器)详细产品信息介绍,如FRAM(铁电存储器)详细参数、批发价格、图片、质量认证等方面。在联系该企业时,请说明是在哔哥哔特电子元器件产品库看到的。