该系列是力生美半导体的新一代集成 MOSFET 的高性能 PSR 功率开关系列产品，采用全新的 TSIP7 大功率封装形式，最大输出功率可高达 40W，产品内置 TruePSRTM 技术，可实现高精度输出稳压控制，典型输出电压误差优于 3%，且具有优异的动态负载响应特性，10%~90% 负载下动态波动小于 5%，芯片还内置了可连续调节的输出线缆压降补偿功能，是极佳的适配器电源架构选择。

    该系列 IC 内置 650V MOSFET 高压功率开关，可在 85~265Vac 的宽电网电压条件下工作，从而满足全球电网应用要求。

    全程谷底开关控制，内置高级能效处理电路，使得系统可以容易地满足 DoE VI 及 CoC V5 Tier2 等 6 级能效要求。

    该系列采用了具有力生美半导体自主开发的超薄超低高度 TSIP7 封装形式，高度较传统的 TO220 封装降低超过 60%，宽度较 DIP8 减少 50%，封装本体高度仅 8mm，外形结构根据最新的安规标准优化设计，并非常易于安装散热片等辅助散热措施，可显著提高芯片的散热能力，同时具有高隔离能力，无障碍满足海拔 5000m 的安规应用要求。

    该系列输出功率可涵盖 12W~40W 的范围，包括如下型号：

LN1F16/LN1F17/LN1F18/LN1F19 :

    该系列是力生美半导体的新一代集成 MOSFET 的高性能 PSR 功率开关系列产品，采用 SOP8 封装形式，最大输出功率可高达 18W，产品内置 TruePSRTM 技术，可实现高精度输出稳压控制，典型输出电压误差优于 3%，且具有优异的动态负载响应特性，10%~90% 负载下动态波动小于 5%，是极佳的适配器电源架构选择。

    该系列 IC 内置 650V MOSFET 高压功率开关，可在 85~265Vac 的宽电网电压条件下工作，从而满足全球电网应用要求。

    全程谷底开关控制，内置高级能效处理电路，使得系统可以容易地满足 DoE VI 及 CoC V5 Tier2 等 6 级能效要求。