EN639D0是用于功率MOSFET和IGBT的低压，高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOS或IGBT
工作电压100V
AEC-Q100
驱动三相N沟道MOS和IGBT
高边悬浮自举电源设计，耐压120V
集成自举二极管
集成拉罐平衡电路，与功率管栅极无需电阻二极管
输出等效电流能力2.5A
逻辑输入电平兼容3.3V/5V
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